使用 BS170 设计一个将输入电压放大12倍，VDD=10V 的功率放大器
我们需要确定元件参数
第一步#
首先确定漏极电流ID:
由于增益AV=gm(RD∣∣RL),
gm=VGS−Vt2ID
实验测得Vt=2.15V，VGS=2.35V
由于AV正比于ID,ID过大时RD需要一个较小的值，难以调控，故选择较小的ID=2mA
第二步#
为了使MOSFET工作在饱和区，VGS 必须大于 Vt
不妨假设VS=2.5V
则此时VG=VS+VGS=4.65V
同时由于IS=ID，我们可以得到RS=IDVS=1.25kΩ
第三步#
现在让我们确定RG1和RG2
与交流信号相比，栅极的直流分量必须很小，所以RG1和RG2需要是大电阻。不妨假设RG1=400kΩ
由于对于VDD而言RG1和RG2串联，可以计算出RG2=VDD−VGRG1×VG=347.7kΩ
第四步#
接下来让我们计算RD
我们已经可以计算gm=20mS，将AV=12代入，解的RD=0.625kΩ
第五步#
补充剩下的电路
C1和C2都是隔直电容，将其设为10μC即可
C3为旁路电容，容抗X=2πfC1
为了使增益不受影响，X应远小于RS，故最终选择C3=470μC
出于保护电路考虑，选择R1=10kΩ
